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Symbol MULTILED(R) 5 mm (T1 3/4), Partly Diffused
LU H371
Besondere Merkmale
q nicht eingefarbtes, teilweise diffuses Gehause q Lotspiee im 2.54 mm Raster q Hohe Signalwirkung durch Farbwechsel der LED moglich q q q q q
von grun zu gelb und orange nach superrot geeignet fur Multiplex- und Impulsbetrieb beide Grundfarben grun und rot getrennt ansteuerbar Lotspiee mit Aufsetzebene gegurtet lieferbar Storimpulsfest nach DIN 40839
Features
q partly diffused, colorless package q 2.54 mm lead spacing q high signal efficiency by color change of the LED from q q q q q
green to yellow and orange to superred ideal for multiplexed or pulsed operations both colors can be controlled separately solder leads with stand-off available taped on reel load dump resistant acc. to DIN 40839 Emissionsfarbe Color of Emission Gehausefarbe Color of Package Lichtstarke Luminous Intensity IF = 10 mA IV (mcd) 1.0 ... 8.0 1.6 ...12.5 Bestellnummer Ordering Code
Typ Type
LU H371-FJ LU H371-GK
super-red / green super-red / green
colorless clear partly diffused
Q62703-Q2050 Q62703-Q2051
Streuung der Lichtstarke in einer Verpackungseinheit IV max / IV min 2.0.1) Streuung der Lichtstarke in einer LED IV max / IV min 4.0 (LU H371-FJ), 2.0 (LU H371-GK).
1)
Bei MULTILED(R) bestimmt die Helligkeit des jeweils dunkleren Chips in einem Gehause die Helligkeitsgruppe der LED.
Luminous intensity ratio in one packaging unit IV max / IV min 2.0.1) Luminous intensity ratio in one LED IV max / IV min 4.0 (LU H371-FJ), 2.0 (LU H371-GK).
1)
In case of MULTILED(R), the brightness of the darker chip in one package determines the brightness group of the LED.
Semiconductor Group
1
11.96
VEX06728
LU H371
Grenzwerte Maximum Ratings Bezeichnung Parameter Betriebstemperatur Operating temperature range Lagertemperatur Storage temperature range Sperrschichttemperatur Junction temperature Durchlastrom Forward current Stostrom Surge current t 10 s, D = 0.005 Verlustleistung Power dissipation TA 25C Warmewiderstand Thermal resistence Sperrschicht / Luft Junction / air
1) 1)
Symbol Symbol
Werte Values - 55... + 100 - 55... + 100 + 100 401) 0.51)
Einheit Unit C C C mA A
Top Tstg Tj IF IFM
Ptot
1401)
mW
Rth JA
400
K/W
Bei gleichzeitigem Betrieb beider Dioden darf die Summe aus Strom und Verlustleistung die angegebene Grenze nicht uberschreiten. With simultaneous operation of both diodes the sum of the current and the power dissipation must not exceed the specified limits.
Semiconductor Group
2
LU H371
Kennwerte (TA = 25C) Characteristics Bezeichnung Parameter Wellenlange des emittierten Lichtes Wavelength at peak emission IF =20 mA Dominantwellenlange Dominant wavelength IF =20 mA Spektrale Bandbreite bei 50% Irel max Spectral bandwidth at 50% Irel max IF =20 mA Abstrahlwinkel bei 50% Iv (Vollwinkel) Viewing angle at 50% Iv Durchlaspannung Forward voltage IF =10 mA Kapazitat Capacitance VR = 0 V, f = 1 MHz Schaltzeiten: Switching times: IV from 10% to 90% IV from 90% to 10% IF = 100 mA, tp = 10 s, RL = 50 (typ.) (max.) (typ.) (typ.) (typ.) (typ.) (typ.) (typ.) (typ.) Symbol Symbol super-red Werte Values green 565 nm 635 Einheit Unit
peak
dom
628
570
nm
45
25
nm
2
100 2.0 2.6 12
100 2.0 2.6 15
Grad deg. V V pF
VF VF CO
(typ.) (typ.)
tr tf
300 50
450 200
ns ns
Semiconductor Group
3
LU H371
Relative spektrale Emission Irel = f (), TA = 25C, IF = 20 mA Relative spectral emission V() = spektrale Augenempfindlichkeit Standard eye response curve
Abstrahlcharacteristic Irel = f () Radiation characteristic
Semiconductor Group
4
LU H371
Durchlastrom IF = f (VF) Forward current TA = 25C
Relative Lichtstarke IV/IV(10 mA) = f (IF) Relative luminous intensity TA = 25C
Zulassige Impulsbelastbarkeit IF = f (tp) Permissible pulse handling capability Duty cycle D = parameter, TA = 25C
Maximal zulassiger Durchlastrom Max. permissible forward current IF = f (TA)
Semiconductor Group
5
LU H371
Wellenlange der Strahlung peak = f (TA) Wavelangth at peak emission IF = 20 mA
Dominantwellenlange dom = f (TA) Relative luminous intensity IF = 20 mA
Durchlaspannung VF = f (TA) Forward voltage IF = 10 mA
Relative Lichtstarke IV / IV(25C ) = f (TA) Relative luminous intensity IF = 10 mA
Semiconductor Group
6
LU H371
Mazeichnung Package Outlines
(Mae in mm, wenn nicht anders angegeben) (Dimensions in mm, unless otherwise specified)
Kathodenkennzeichnung: Cathode mark:
Mittlerer Lotspie Middle solder lead
Semiconductor Group
7
GEX06728

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Price & Availability of Q62703-Q2051

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